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FDMB3800N

更新时间:2025-06-08 17:53:56
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FDMB3800N外观图

FDMB3800N

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET

  • 封装:8-MLP，MicroFET?
FDMB3800N 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    40 毫欧 @ 4.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    465pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    750mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-MLP，MicroFET?
  • 供应商设备封装
    8-MLP，MicroFET（3x1.9）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDMB3800NTR
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