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FDMA520PZ_08
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高性能特性，成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，
充电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf
性，成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和
为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf)
，成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(i
电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄
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