FDMA530PZ
9226
WDFN6/18+
一定原装现货
FDMA530PZ
3120
22+/WDFN6
-
FDMA530PZ
9000
MLP6/22+
原装现货,有挂就有货
FDMA530PZ
2515
VDFN6/1847+
-
FDMA530PZ
76000
MLP2x26L/20+
原装现货/特价销售
FDMA530PZ
4000
21+/-
原装
FDMA530PZ
80000
-/-
深圳原装现货
FDMA530PZ
65200
WDFN6/21+
-
FDMA530PZ
24643
QFN/11+
只做原装,也只有原装
FDMA530PZ
7
13+/MLP6
原装进口环保假一赔十
FDMA530PZ
9000
QFN/22+
只做原装实单必成假一罚十
FDMA530PZ
8860
DFN20206/22+
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者
FDMA530PZ
6000
DFN2X26/23+
专注电子元件十年,只做原装现货
FDMA530PZ
20000
TO263(D2PAK)/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
FDMA530PZ
160000
/21+
原装现货秉承原装
FDMA530PZ
50000
MOSFET PCH 30V 6.8A MLP2X2/2020+
原装现货配单
FDMA530PZ
19436
19+/-
-
充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。
与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流
开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至
、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (
载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir
直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将