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FDMA86151L

更新时间:2025-06-11 00:31:10

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市泰佳兴电子有限公司
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WDFN6/24+
大量现货，提供一站式配单服务

深圳市高胜电子有限公司
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1103
ON
WDFN6/22+
进口原装现货

深圳市河锋鑫科技有限公司
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9000
Fairchild/ON
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深圳市创芯友科技有限公司
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TI
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原装，提供一站式配单服务

深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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FDMA86151L 概述

FDMA86151L是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压Vds为30V，连续漏极电流Id为24A，适用于需要高效功率转换的应用场景。典型应用包括直流-直流转换器、负载点(POL)转换器以及电池供电设备中的电源管理电路。在电机驱动应用中也能发挥作用。由于其良好的热性能和紧凑的封装形式，特别适合空间受限同时对效率要求较高的便携式电子设备使用。设计时应注意遵循制造商推荐的最大工作电压和电流限制，并确保栅极驱动电压足够以完全开启MOSFET。在实际布局中应尽量减小走线电感以减少开关损耗。对于高频应用场合，需考虑适当的散热措施保证器件可靠运行。

FDMA86151L 规格参数

现有数量
5,800现货
系列
PowerTrench?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
88 毫欧 @ 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
7.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘

芯知识

2.1万

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