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FDMB3900AN

更新时间:2025-05-16 09:41:30
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FDMB3900AN外观图

FDMB3900AN

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP

  • 封装:*
FDMB3900AN 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    23 毫欧 @ 7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    890pF @ 13V
  • 功率 - 最大
    800mW
  • 安装类型
    *
  • 封装/外壳
    *
  • 供应商设备封装
    *
  • 包装
    *
芯知识
3.7万
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广东微尔科技有限公司
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