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FDZ209N

更新时间:2025-05-21 02:56:00
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FDZ209N外观图

FDZ209N

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA

  • 封装:12-WFBGA
FDZ209N 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    80 毫欧 @ 4A，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    9nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    657pF @ 30V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    12-WFBGA
  • 供应商设备封装
    12-BGA
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDZ209N-NDFDZ209NTR
FDZ209N Datasheet数据手册 PDF下载
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