FDZ391P
3550
CSP6L/2023+
全新原装、公司现货销售
FDZ391P
3650
6WLCSP/24+
假一罚十，原装现货，支持含税
FDZ391P
5000
CSP6L/22+
原厂原装现货
FDZ391P
10800
6WLCSP/21+
一级代理 现货在库
FDZ391P
5771
21+/6WLCSP
原装正品
FDZ391P
18516
-/-
20年配单 只求现货匹配
FDZ391P
9200
CSP6L/23+
只做原装更多数量在途订单
FDZ391P
20000
TQFP/2023+
17%原装.深圳送货
FDZ391P
3650
6WLCSP/23+
原装，现货库存
FDZ391P
20000
DIP/21+
-
FDZ391P
5771
6WLCSP /2019+
-
FDZ391P
50000
MOSFET PCH 20V 3A 6WLCSP/2020+
原装现货配单
FDZ391P
9900
6XFBGA WLCSP/23+
只做原装，提供配单服务，QQ281559972
FDZ391P
20000
DIP/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
FDZ391P
22050
WLCSP6/23+
原装现货，一站式BOM配单
FDZ391P
16800
WLCSP6/21+
原装现货
FDZ391P
12043
-/2022+
一级代理，原装正品假一罚十价格优势长期供货
FDZ391P
25000
6WLCSP/22+
只有原装原装，支持BOM配单
FDZ391P
15600
WLCSP6/24+
原装优势有货
FDZ391P
MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
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FDZ391P
P-Channel 1.5 V PowerTrench㈢ Thin W...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求，飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm wl-csp封装的单一p沟道mosfet器件fdz391p。该器件采用飞兆半导体的1.5v额定电压powertrench工艺设计，结合先进的wl-csp封装，将rds(on)和所需的pcb空间减至最小。这款p沟道mosfet器件的侧高比标准p沟道mosfet降低40%，可满足下一代手机、mp3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低rds(on)(74mohm typical@-4.5v vgs)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能(1.9w)。 fdz391p丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括μserdes串化器/解串器、intellimax先进负载开关、usb开关、dc-dc转换器、逻辑电平转换器和许多其它功率管理及信号
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出采用1 x 1.5 x 0.4mm wl-csp封装的单一p沟道mosfet器件fdz391p，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。fdz391p采用飞兆半导体的1.5v额定电压powertrench工艺设计，结合先进的wl-csp封装，将rds(on)和所需的pcb空间减至最小。这款p沟道mosfet器件的侧高比标准p沟道mosfet降低40%，可满足下一代手机、mp3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低rds(on)(74mohm typical @ -4.5v vgs)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能(1.9w)。 fdz391p丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括μserdes串化器/解串器、intellimax先进负载开关、usb开关、dc-dc转换器、逻辑电平转换器和许
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm wl-csp封装的单一p沟道mosfet器件fdz391p，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。fdz391p采用飞兆半导体的1.5v额定电压powertrench?工艺设计，结合先进的wl-csp封装，将rds(on) 和所需的pcb空间减至最小。这款p沟道mosfet器件的侧高比标准p沟道mosfet降低40%，可满足下一代手机、mp3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低rds(on) (74mohm typical @ -4.5v vgs)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能 (1.9w)。 fdz391p丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括?serdes?串化器/解串器、intellimax?先进负载开关、usb开关、dc-dc转换器、逻
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm wl-csp封装的单一p沟道mosfet器件fdz391p，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。fdz391p采用飞兆半导体的1.5v额定电压powertrench工艺设计，结合先进的wl-csp封装，将rds(on) 和所需的pcb空间减至最小。这款p沟道mosfet器件的侧高比标准p沟道mosfet降低40%，可满足下一代手机、mp3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低rds(on) (74mohm typical@ -4.5v vgs)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能 (1.9w)。 fdz391p丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括μserdes串化器/解串器、intellimax先进负载开关、usb开关、dc-dc转换器、逻辑电平转换器和许多其
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm wl-csp封装的单一p沟道mosfet器件fdz391p，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。fdz391p采用飞兆半导体的1.5v额定电压powertrench?工艺设计，结合先进的wl-csp封装，将rds(on) 和所需的pcb空间减至最小。这款p沟道mosfet器件的侧高比标准p沟道mosfet降低40%，可满足下一代手机、mp3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低rds(on) (74mohm typical @ -4.5v vgs)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能 (1.9w)。 fdz391p丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括?serdes?串化器/解串器、intel limax?先进负载开关、usb开关、dc-dc转
为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求，飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm wl-csp封装的单一p沟道mosfet器件fdz391p。该器件采用飞兆半导体的1.5v额定电压powertrench工艺设计，结合先进的wl-csp封装，将rds(on)和所需的pcb空间减至最小。这款p沟道mosfet器件的侧高比标准p沟道mosfet降低40%，可满足下一代手机、mp3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低rds(on)(74mohm typical@-4.5v vgs)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能(1.9w)。 fdz391p丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括μserdes串化器/解串器、intellimax先进负载开关、usb开关、dc-dc转换器、逻辑电平转换器和许多其它功率管理及信号
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