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MTD3055V

更新时间:2025-07-04 12:47:45

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

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原装认证有意请来电或QQ洽谈

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MTD3055V外观图

MTD3055V

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

MTD3055V 概述

MTD3055V是由MOSPEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源转换应用。其设计旨在优化高频开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动电路中的性能。在开关电源中，MTD3055V能够减少能量损耗，提高整体效率。对于电机驱动应用，它能提供精确的电流控制，确保电机平稳运行。此外，在音频放大器等需要高保真度的应用场景下，此款MOSFET也能表现出色。使用时应注意其最大漏源电压为60V，连续漏极电流可达12A。散热设计至关重要，建议根据实际工作条件选择合适的散热器，并确保良好的电气连接以避免过热损坏。在进行PCB布局时，尽量缩短源极与栅极之间的走线长度，以减少寄生电感对开关性能的影响。

MTD3055V 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
500pF @ 25V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
MTD3055V-NDMTD3055VTR

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