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这些参数与现有的电流和电压表达式一起输入到数据表中,然后画出结果曲线进行比较,工作频率为100khz。在有两个开关s1和s2的情况下,接地开关是一个n沟道fet,而上面的开关是一个p沟道fet,二极管是肖特基型,设正向电压为0.6v。电感为150μh 4a,内阻是0.1ω,电容为高质量、低阻抗类型,其损耗经过计算表明可以忽略。对fet的开关损耗进行估计,假设开关时间是100ns,忽略二极管的开关损耗,控制电路的损耗假设也是可以忽略的。 fet的特性如下: p-沟道: on semi mtd5p06v,rds(on)=0.45ωn-沟道: on semi ntd15n06,rds(on)=0.09ω 电感值选为150μh,这样电感和其它元件中的纹波电流大约为20%,可以无须顾虑电流波形摆动而将其看作平顶电流脉冲。 2.损耗计算 我们为四个电路设计了一个电子表格,设定输出电压为24v,电流为2a,然后将输入电压以2v间隔递增计算其性能。在sepic和图1d(d1=d2)中,因为传递函数(vout/vin)在电压低于或高于输出电压时是一样的,所以过程可以简化。而另外两个电路则要取决于
产品型号:MTD5P06VT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):450
最大漏极电流Id(on)(A):5
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):3DPAK/-65~175
描述:5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET
价格/1片(套):¥3.23