当前位置:维库电子市场网>IC>mtd5p06vt4g 更新时间:2024-04-27 04:18:19

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  • MTD5P06VT4G的技术参数

    产品型号:mtd5p06vt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):450最大漏极电流id(on)(a):5通道极性:p沟道封装/温度(℃):3dpak/-65~175描述:5a,60v,dpak,p沟道功率mosfet价格/1片(套):¥3.23 来源:xiangxueqin

  • MTD5P06VT4G的技术参数

    产品型号:MTD5P06VT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):450
    最大漏极电流Id(on)(A):5
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):3DPAK/-65~175
    描述:5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):¥3.23

mtd5p06vt4g替代型号

MTD5P06V MTD2955E MTD2009J MTD2009 MTD2005 MTC20174 MTB50P03HDLT4G MTB30P06VT4G MTA001M MTA001

MTD6N15T4G MTD6N20E MTD6N20ET4G MTK6225 MTK6226 MTK6302 MTM15N20 MTM55N10 MTP12N05 MTP12P10G

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