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NSS12100XV6T1G

更新时间:2024-04-19 06:04:19
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NSS12100XV6T1G外观图

  • 产品培训模块：Low Vce(sat) BJT Power Savings
  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：440mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大：500mW
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装：SOT-563
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NSS12100XV6T1G-ND
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