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NSS12500UW3T2G

更新时间:2025-06-14 14:20:01

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ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR PNP 8A 12V 3-WDFN

封装:3-WDFN 裸露焊盘

NSS12500UW3T2G 规格参数

产品培训模块
Low Vce(sat) BJT Power Savings
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
5A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
260mV @ 400mA，4A
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
200 @ 2A，2V
功率 - 最大
875mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
3-WDFN（2x2）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NSS12500UW3T2G-ND

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