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NSS1C201MZ4T3G

更新时间:2025-07-09 04:23:19
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NSS1C201MZ4T3G外观图

NSS1C201MZ4T3G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
NSS1C201MZ4T3G 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    180mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    120 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大
    800mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SOT-223
  • 包装
    带卷 (TR)
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