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NSS12600CF8T1G

更新时间:2025-05-20 07:04:14
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NSS12600CF8T1G外观图

NSS12600CF8T1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR PNP 6A 12V CHIPFET

  • 封装:8-SMD，扁平引线
NSS12600CF8T1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    170mV @ 400mA，4A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    250 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大
    830mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装
    ChipFET?
  • 包装
    带卷 (TR)
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