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NTD24N06L-1

更新时间:2025-06-12 19:59:45

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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NTD24N06L-1 概述

NTD24N06L-1是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型导通电阻仅为22mΩ。其最大漏极电流可达24A，适用于高效直流-直流转换器、电机驱动控制以及各类电源管理应用中。在实际应用方面，由于其低导通损耗和快速开关特性，常用于电池供电设备中的功率转换电路，如电动工具、不间断电源系统等。设计电路时需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET充分导通，并且要考虑散热设计以保证器件可靠工作。例如，在一个降压变换器设计中，可以将其作为主开关管使用，配合合适的驱动芯片和外围元件实现高效电能转换。

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