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NTLGD3502NT1G

更新时间:2025-06-13 09:22:05
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NTLGD3502NT1G外观图

NTLGD3502NT1G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN

  • 封装:6-VDFN 裸露焊盘
NTLGD3502NT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.3A，3.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    60 毫欧 @ 4.3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    480pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.74W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    6-DFN（3x3）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    NTLGD3502NT1G-NDNTLGD3502NT1GOSTR
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