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NTLJD3119CTBG

更新时间:2025-07-09 12:15:19

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ON Semiconductor FET - 阵列

MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN

封装:6-WDFN 裸露焊盘

NTLJD3119CTBG 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
µCool™
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.6A，2.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
65 毫欧 @ 3.8A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
271pF @ 10V
功率 - 最大
710mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-WDFN（2x2）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTLJD3119CTBG-NDNTLJD3119CTBGOSTR

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