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STD55NH2LLT4

更新时间:2025-07-12 01:58:55

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
STD55NH2LLT4
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳市君云达电子科技有限公司
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ST
SOT252/24+
原装正支持实单

深圳市华芯源电子有限公司
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100809
ST/意法
TO252DPAK/22+
22+

深圳市硅宇电子有限公司
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助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳市誉辉天成电子有限公司
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9000
-
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-

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳原装现货

深圳市威尔健半导体有限公司
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ST/意法
TO252DPAK/2025+
原装现货，实单支持

深圳市永贝尔半导体有限公司
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VB
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只做原装更多数量在途订单

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市亿科泰电子科技有限公司
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5270
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SOT252/21+
-

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深圳市金华微盛电子有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理

上海熠富电子科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市富莱微科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市能元时代电子有限公司
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百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市金科创世纪电子有限公司
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DPAK/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

深圳市创胜达电子有限公司
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6000
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TO252DPAK/24+
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深圳市富科达科技有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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蓝界科技（深圳）有限公司
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36000
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深圳市斌腾达科技有限公司
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安富微（深圳）商贸有限公司
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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STD55NH2LLT4外观图

STD55NH2LLT4

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 24V 40A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

STD55NH2LLT4 概述

STD55NH2LLT4是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET技术，具有低导通电阻和栅极电荷，适用于高效的电源管理应用。其最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达5.5A，在小尺寸DFN3x3封装内提供了优异的电气性能。典型应用场景包括负载开关、DC-DC转换器以及电池充电电路等便携式电子设备中。在实际使用时，建议在PCB设计阶段充分考虑散热需求，并确保栅极驱动电压满足阈值要求以保证正常开启。由于其低Rds(on)特性，在需要高效能量传输的场合表现尤为出色。使用时需注意遵循制造商推荐的焊盘设计和回流焊工艺参数以确保可靠焊接。

STD55NH2LLT4 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
990pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-4104-2

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