STD5NK60T4

更新时间:2025-05-21 23:48:27

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STD5NK60T4 概述

STD5NK60T4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高压应用。该器件的最大漏源电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）可达5A，适合在开关电源、电机驱动和其他高电压电路中使用。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗和提高效率。此外，它具备快速开关特性，可以优化高频应用中的性能。内置的体二极管能够支持反向恢复，使其更适合于半桥和全桥拓扑结构。由于其紧凑的封装设计，特别适合空间受限的应用环境。在实际应用中，需注意栅极驱动电路的设计以确保可靠开启和关闭MOSFET。

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