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K9K1G08U0M-YCB0中文资料

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    K9K1G08U0M-YCB0引脚图 电源电压：Vcc＝2.7—3.6V； 结构：存储器单元阵列：,(128M+4096K)X8位，数据存储器：(512+16)X8位； 自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节﹐块擦除：(16K+512)字节； 528字节页读操作：随机存取：12μs(最大值)，串行访问：50ns (最小值)； 快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)； 指令/地址/数据复用I/O端口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的 CMOS准浮栅技术﹐100k次编程/擦除周期﹐10年的数据保留 时间； 指令存储器操作； 封装：48引脚的TSOP封装； 同时4页/块编程/擦除；工作温度：-10～+125℃

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