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  • 飞思卡尔推出LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH

    mrf6vp11kh使用50v偏置电压能够产生更高终端阻抗，这让设备更容易与放大器电路匹配。飞思卡尔符合rohs的气泡封装热阻测评低于0.13o c/w qjc，可提供有效的热管理，并减少散热片尺寸。mrf6vp11kh 带有集成静电放电 (esd) 保护，因而除了在电子制造中看到的日常处理外，就不再需要特别的处理。 ldmos技术 mrf6vp11kh 连接飞思卡尔2006年推出的业界领先的50v vhv6 ldmos 设备系列。已经投入生产的其它在10-450 mhz 运行的设备包括mrf6v2010n (10 w cw、24 db增益和62%的效率)、mrf6v2150n (150 w cw、25 db增益、68%的效率)和mrf6v2300n (300 w cw、25.5%和68%的效率)。 供货情况 飞思卡尔现在已经开始提供mrf6vp11kh样品和支持的参考设计如需了解定价信息，请联系飞思卡尔半导体、本地飞思卡尔销售办事处或飞思卡尔授权经销商。 来源:零八我的爱

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MRF6V14300H MRF6S21140H MRF6S21100N MRF6S21100H MRF6S21060N MRF6S19140H MRF6S19100N MRF6S19100H MRF6S19060N MRF6P3300H

MRF6V2300NBR1 MRF6VP11KH MRF6VP3450H MRF7S19080H MRF7S21170H MRF7S38075H MRF844 MRF9045 MRF9060 MRFIC0914

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