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mrf7s21170h中文资料

  • RF功率器件的设计及应用

    器件信号功率的互补累积分布函数(ccdf)分析。ccdf测试是常见的第二代(2g)和第三代(3g)无线测量。实现cw、脉冲以及调制信号测量的要求来自于这些信号在器件上产生不同热负载的事实,因此,对每个调制格式优化的负载阻抗也是不同的,如图3所示。除这一广泛的测量能力以外,飞思卡尔已开发了独具价值的数据输入和后处理工具,使用户能够快速分析二维或三维平面下被测试器件(dut)的行为(图4)。 脉冲vna负载拉移技术被用来测量飞思卡尔公司广泛的功率晶体管产品,包括170w wcdma器件mrf7s21170h。该器件的负载拉移功率等高线显示,1db压缩点的脉冲输出功率高于+53dbm(200w),2.14ghz频率下的增益为19.94db(图5)。由于具有这些技术,mrf7s21170h的最终匹配网络设计变成非常简单,只需为同时优化功率密度、增益、效率,以及综合的匹配网络而选择负载和源阻抗。 功率器件的建模 设计面向现代通讯和广播系统、工业、科学和医疗应用,以及航空电子和雷达市场的rf功率放大器(pa)是一个很大的挑战,设计工程师必须满足提高rf功率放大器能效的目标,并同时满足严

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MRF7S19080H MRF6VP3450H MRF6VP11KH MRF6V2300NBR1 MRF6V2010N MRF6V14300H MRF6S21140H MRF6S21100N MRF6S21100H MRF6S21060N

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