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-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet,具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器,具有25 dbm的输出功率,27 db的增益、-50 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mrf7s19080h: n信道、增强模式横向功率 mosfet,具有35 dbm的输出功率、18 db的增益, -51 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 所有设备都符合rohs标准,具有内部匹配的输入和输出,可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了mrf6s21100h和 mrf7s19080h外,所有其他设备都采用飞思卡尔超模压塑料封装,温度范围为200度。 供货情况 mw6ic2240nb、mrf7s19080h、mhv5ic2215n、
db的增益、-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet,具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器,具有25 dbm的输出功率,27 db的增益、-50 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mrf7s19080h: n信道、增强模式横向功率 mosfet,具有35 dbm的输出功率、18 db的增益, -51 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 所有设备都符合rohs标准,具有内部匹配的输入和输出,可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了mrf6s21100h和 mrf7s19080h外,所有其他设备都采用飞思卡尔超模压塑料封装,温度范围为200度。 供货情况 mw6ic2240nb、mrf7s19080h、mhv5ic2215n、mr