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  • NTD110N02RG的技术参数

    产品型号:ntd110n02rg源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.700最大漏极电流id(on)(a):110通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:110a,24v功率mosfet价格/1片(套):￥6.00 来源:xiangxueqin

  • NTD110N02RG的技术参数

    产品型号:NTD110N02RG
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700
    最大漏极电流Id(on)(A):110
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~150
    描述:110A,24V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥6.00


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