6000
SOT363/25+
优势产品原装大量库存现货
NTJD1155LT1G
5000
SOT363/0512+
原装
NTJD1155LT1G
36078
SOT363/-
现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业
NTJD1155LT1G
334420
SOT363/2025+
国产南科兼容替代
NTJD1155LT1G
6000
SOT363/21+
原装
NTJD1155LT1G
48900
NEW/NEW
一级代理保证
NTJD1155LT1G
36000
-/24/25+
原装BOM一站配单
NTJD1155LT1G
90000
SOT363/24+
原装，超强配单能力
NTJD1155LT1G
30000
SC886/22
原装现货，价格
NTJD1155LT1G
5870
-/2024+
有挂就有货
NTJD1155LT1G
65200
6TSSOPSC88SOT363/23+
专注配单，只做原装进口现货
NTJD1155LT1G
7125
SOT363/22
22
NTJD1155LT1G
10000
-/23+
-
NTJD1155LT1G
10000
SOT363/21+
原装
NTJD1155LT1G
669461
SC886/SC706/SOT3636/22+
原装可开发票
NTJD1155LT1G
827
SOT363/14+
-
NTJD1155LT1G
35000
SOT363/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
NTJD1155LT1G
5000
6TSSOPSC88SOT363/-
有上有货原装现货可看货，提供配单服务
NTJD1155LT1G
1
SMD/2025+
全系列收丨高效率接
NTJD1155LT1G
300000
SC886/23+
一级代理商可提供技术方案支持
NTJD1155LT1G
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
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NTJD1155LT1G
Transistor; Transistor Type:MOSFET; ...
ON Semiconductor
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产品型号:ntjd1155lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):8源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):175最大漏极电流id(on)(a):1.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150描述:8 v, ± 1.3 a功率mosfet价格/1片(套):￥1.60 来源:xiangxueqin
产品型号:NTJD1155LT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175
最大漏极电流Id(on)(A):1.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150
描述:8 V, ± 1.3 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥1.60
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