导读：近日，英飞凌科技股份公司开发出新一代功率MOSFET系列器件，该系列器件主要是针对体二极管硬式整流进行优化而退出的200V和250V OptiMOS FD,新产品的推出进一步完善了中压产品组合。

　　据了解，英飞凌的新一代功率MOSFET器件针对性能标准而优化的反向恢复电荷（Qrr），比标准的200V和250V OptiMOS,200V和250V OptiMOS FD的Qrr降低了40%,大幅提升了系统可靠性，从而限度地减少了对缓冲电路的需求；全新OptiMOS FD改善了硬换向耐用性，从而可以在更为苛刻的条件下使用，如更高dv/dt、di/dt和电流密度，从而可以实现的效率和功率密度。

　　值得一提的是，英飞凌开发出的新一代功率MOSFET器件再突破了200V和250V电压级产品的极限，这些器件不仅更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，而且可在提高可靠性的同时简化设计流程，节省工程设计成本。