功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。
　　由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。
　　功率 MOSFET 的分类及优缺点
　　和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上大部分功率 MOSFET 都是增强型的。（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）
　　MOSFET 是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。
　　言归正传，下面来看看具体如何选型—功率 MOSFET 的选型
　　1 我的应用该选择哪种类型的 MOSFET？
　　前面说了，实际应用主要使用增强型功率 MOSFET，但到底该选择 N 沟道的还是 P 沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！
　　负载（Load）的连接方式决定了所选 MOSFET 的类型，这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时，采用 P 沟道 MOSFET；当负载连接电源电压时，选择 N 沟道 MOSFET。
　　2 确定额定电压与额定电流
　　选好 MOSFET 的类型后，接下来要做的是确定在你的设计中，漏极和源级间可能承受的电压，即 VDS 。MOSFET 能承受的电压会随温度变化，这是我们工程师在设计时必须考虑到的，必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。
　　接下来，说点实际的：
　　MOSFET 在关断瞬间，会承受到的电压冲击，这个电压跟负载有很大关系：如果是阻性负载，那就是来自 VCC 端的电压，但还需要考虑电源本身的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施；如果是感性负载，那承受的电压会大不少，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势（电磁感应定律），其方向与 VCC 方向相同（楞次定律），承受的电压为 VCC 与感生电动势之和；如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。