的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其 +125℃ 汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA 这款3V、4Kb并具有串行外设接口 (SPI) 的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。

　　FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中，使变速度箱能够连续适应不断变化的驾驶者行为和路面状况。F-RAM的No Delay (无延迟) 写入、几乎无限次的读写以及高速的SPI接口，为其带来独特的优势，能够在这及其它先进汽车应用中以的总线速度可靠地写入数据。

　　Ramtron战略市场拓展经理Duncan Bennett称：“在乘客舱内和引擎罩下的智能汽车应用中，Ramtron 的F-RAM存储技术已成为主流的存储器技术。Ramtron正在扩展其Grade 1汽车器件产品系列，以满足世界各地汽车制造商不同的要求。”

关于FM25L04-GA

　　FM25L04-GA是完全符合业界标准的SPI接口4Kb非易失性存储器，提升了F-RAM技术的高速写入能力。这款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM产品的直接硬件替代产品，但功能更强，具有高速的写入能力、几乎无限次的擦写，以及低工作电流。FM25L04-GA可以在高达10MHz的总线速度下进行读写操作，并具有先进的写保护方案以防止意外的写入与数据损坏。在 +125℃ 时保证数据保存9,000小时，在55℃ 时数据更可保存17年，在汽车温度范围内并以3.0V电压运行。该产品采用“绿色”环保的8 脚SOIC封装。

F-RAM在智能电子中的应用

　　F-RAM的快速写入和高耐久性使其成为理想的数据收集和存储器件。随着汽车设计中的传感器越来越多，需要收集的数据也越来越多。F-RAM的NoDelay 写入方式有利于以更高频率收集更多的数据，使智能汽车能够得到及时的信息从而采取快速的行动。F-RAM技术已被大量精密复杂的汽车电子系统设计广泛采用，如智能安全气囊、事件记录仪、自适应巡航控制、动力传动、信息娱乐系统、诊断和防卡/陷车窗等。目前获得的Grade 1 汽车应用资格将使设计人员从整个汽车系统中的F-RAM应用中获益。