飞兆推出尺寸MOSFET器件,持续电流突破1A
出处:soonow 发布于:2007-12-04 11:20:34
FDC6020C具有良好的热性能和高效率特性,适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(VGS = 2.5V)可简化采用3.3V总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时,使用FDC6020C则无需设计充电泵电路。此外,该器件的每一个MOSFET都具有优良的RDS(on)特性(在4.5V时, P沟道为52mΩ,N沟道为27mΩ)。FDC2060C的结点至外壳热阻抗(1℃/W)及结点至周边环境热阻抗(68℃/W)有助于达到电流密度,并同时维持工作温度。
FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封装,其面积仅为9mm2,侧高为0.8mm。这种先进的封装形式无须传统的金属线连接,不但提供低电阻抗,而且可以维持所需的关键性机械公差特性,使到晶片反面和封装反面共面。这种共面结构在PCB和MOSFET晶片(漏极连接)之间提供低热阻抗通路。
这种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D标准要求,并符合生效的欧盟标准。FDC6020器件有现货供应,订购1, 000个时每个0.76美元(仅供参考)。交货期为收到订单后8周内。
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