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MOSFET器件选型的3大法则

俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择Z适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。　　功率MOSFET恐怕是工程师们Z常用的器件之一了，但你知道吗？...

分类：元器件应用 时间：2021-10-27 阅读：402 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件器件选型

Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源...

分类：元器件应用 时间：2019-01-29 阅读：15427 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件Vishay功率MOSFET

Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源...

分类：元器件应用 时间：2019-01-28 阅读：566 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件Vishay

英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件

更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔...

分类：元器件应用 时间：2018-08-27 阅读：764 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件

使用于嵌入式功率系统的先进100V MOSFET器件

高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干，用於驱动诸如电信或计算机此类系统。为了满足市场对这些转换器的需求，英飞凌科技推出了全新的100V MOSFET系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础，可大幅度降低...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2011-07-10 阅读：2860 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件嵌入式

飞兆半导体采用Power 56封装的MOSFET器件

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON)低于1mOhm的30VMOSFET器件，采用Power56封装，型号为FDMS7650。FDMS7650可以用作负载开关

分类：元器件应用 时间：2009-09-07 阅读：3124 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件半导体

Diodes推出适合LCD背光应用的新型MOSFET器件

Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。　　...

分类：光电显示/LED照明 时间：2009-08-12 阅读：2582 关键词：DiodesLCD背光MOSFEMOSFETMOSFET器件

飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度

日前，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它DC-DC设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mmx3mmMLP模块中

分类：元器件应用 时间：2009-07-09 阅读：2410 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件半导体

飞兆针对便携应用推出MOSFET器件FDZ391P

为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出采用1×1.5×0.4mmWL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P。该器件采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerT

分类：电源技术 时间：2008-11-10 阅读：1590 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件

瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的高频功率MOSFET器件

瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现业界最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。

分类：物联网技术 时间：2008-06-06 阅读：2736 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件发射器放大器功率MOSFET功率放大器瑞萨

瑞萨科技高效大功率MOSFET器件RQA0010

瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.），推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现业界最高功效级别*1和IEC61000-4-2的4级ESD标准*2的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器

分类：元器件应用 时间：2008-06-02 阅读：1954 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件功率MOSFET瑞萨

飞思卡尔新推9.0V～18V四组输出集成MOSFET器件

随着电子制造商把越来越多的功能封装到更小的器件，空间在电源供给以及系统主板上就显得尤为珍贵。为了帮助开发人员设计紧凑电源，飞思卡尔半导体在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路，这些产品已经对...

分类：电源技术 时间：2008-05-30 阅读：1409 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件集成

IR新型MOSFET器件符合IEEE802.3af，节省80％设计空间

国际整流器公司(IR)日前推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电(PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准，例如以太网交换...

分类：元器件应用 时间：2007-12-12 阅读：1295 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件

飞兆半导体推出新低导通阻抗600V SUPERFET MOSFET器件系列

飞兆半导体公司开发出新的低导通阻抗600VSuperFETMOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK(TO-252)器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型平坦化MOSFET

分类：元器件应用 时间：2007-12-11 阅读：1330 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件半导体阻抗

飞兆推出80V N沟道MOSFET器件（图）

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7.

分类：元器件应用 时间：2007-12-07 阅读：1404 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件

飞兆推出最小尺寸MOSFET器件，持续电流突破1A

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件——FDC6020C，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。该器件将两个MOSFET集成在一个超小型

分类：电源技术 时间：2007-12-04 阅读：1256 关键词：MOSFEMOSFETMOSFET器件电流