功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用...
当前，汽车工业正面临着金融危机和能源环境问题的巨大挑战。发展新能源汽车，实现汽车动力系统的新能源化，推动传统汽车产业的战略转型，在国际上已经形成广泛共识。在这种形势下，美国、日本、欧洲等发达国家和地区...
随着科学技术的发展，越来越多的功能应用于汽车当中，功率器件应用到汽车当真，对功率器件要求非常高，它必须能在120℃下正常工作，承受的压力要大，又要位于方便组装和维...
引言 当前，电子设备的主要失效形式就是热失效。电子设备的失效有55％是温度超过规定值引起的，随着温度的增加，电子设备的失效率成倍增长。因此，作为电子设备结构设计...
为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而...
许多新兴应用对具备更高转换效率的大功率MOSFET提出了迫切需求。目前，硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率，不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了，因此对新型半导体材料的研发一直是硅...
目前的电子产品主要采用贴片式封装器件，但大功率器件及一些功率模块仍然有不少用穿孔式封装，这主要是可方便地安装在散热器上，便于散热。进行大功率器件及功率模块的散热计算，其目的是在确定的散热条件下选择合适...
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可...
英飞凌(Infineon)正在计划和SiemensPowerTransmissionandDistribution(PTD)成立合资公司，为高压直流(HVDC)功率传输线开发高功率闸流管。英飞凌的一位发言人表示，此次合作协议将在中月中旬签署。新公司
NEC电子开发出驱动车前灯等车灯产品的功率IC μPD166010，即日起开始提供样品。新产品用在汽车车前灯和雾灯等车灯控制单元中驱动各种灯类，在输出驱动电路中拥有各种保护功能的智能功率器件产品。用户使用此新产品后...
意法半导体(ST)发布首款以顶部金属PolarPAK封装的功率器件：STK800、STK850，增强了热量性能、提升了大电流电源使用组件的功率密度。新器件分别为20A/30A功率MOSFET，以标准SO-8封装，仅需要5mm×6mm板空间，因顶部...
NECElectronicsAmerica公司日前宣布推出uPD166007智能功率器件(IPD)。该产品采用无铅设计，适用于车前灯、防锁制动系统及空调等应用中的板上(on-board)电子控制单元(ECU)。在该器件中，常规用于控制这些单元的机械
品佳公司现正推广英飞凌(Infineon)第三代高集成度功率集成电路——CoolSETF3系列产品。该产品在单一封装中，组合了英飞凌CoolMOS功率MOSFET与新型脉宽调制(PWM)控制集成电路。CoolSETF3系列产品适用于DVD录放机、平
意法半导体日前推出新一代纵向智能功率器件（VIPower）技术。代号为M0-5的新技术采用一项获得专利的控制策略，使该公司能够减小芯片及封装的尺寸，同时输出与现有产品相同的功率，而且还大幅度提高了产品的强固性。...
摘 要：本文主要介绍了功率开关器件的使用与保护措施，对静止变频技术的发展影响等。 关键词：晶闸管;IGBT;静止变频电力电子技术的发展 我国20 世纪80 年代以前的静止变频技术由于受到电力电子器件技术的影响...
赛米控公司的SEMITOP将多个芯片，例如IGBT，二极管，输入整流桥等集成在一个单个的模块中。高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间，同时还保证了良好的连结性以及可靠性。由于SEMITOP所使用的...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-11-14 阅读：98
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新Stealth™II和HyperfastII二极管技术，作为其专为LCDTV开关电源(SMPS)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的FFP08S60S和FF
SOI衬底材料用于制备高速、高抗辐射和低功耗器件和大规模集成电路（IC），与其它材料相比它具有速度高、抗辐射性强、功耗小等优点，应用于军事和航天等特殊领域，但是SOI衬底材料制备困难，成本高[8]。目前，制备SOI...
