电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流水平。功率器件需要在保护检测电路触发和关闭电机驱动所需的时间内承受这些事件。SC ...
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...
使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时最大限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器，用于工业市场的高效...
分类：工业电子 时间：2023-08-15 阅读：347
半导体在汽车中的使用持续增加。如图1所示，尽管由于疫情造成的全球供应链限制，过去几年新车销量总体下降，但同期汽车内半导体销售收入却有所上升。汽车中半导体价值的增...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2023-08-01 阅读：725 关键词：SiC,GaN 功率器件
为了开发集成栅极驱动器，一组研究人员1在商用 650V GaN-on-Si 平台上实现了增强型 (E) 模式 GaN 功率开关和基于 GaN 的栅极驱动器的单片集成。这种集成消除了额外的处理步...
图 1 显示了电动汽车牵引逆变器的简化框图。该图中的红色方块代表栅极驱动器及其驱动的相关功率级。该应用中栅极驱动器的一些关键功能包括： 提供隔离。在 HV 侧，栅极驱动器可能会驱动参考 800V 直流总线电压的S...
Innoscience 和其他公司已经超越了标准的可靠性和生产测试来强调部件失效，推断出可以估计 1 ppm 故障率寿命的寿命曲线。动态导通电阻 (R DS(on) ) 作为 GaN 在开关应用中可能的故障模式而被广泛讨论，并且可以被视...
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关...
Toshiba - 东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用（如工业设备的可编程逻辑控制器）中使用的感性负载的驱动。高边开...
ST - 意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT
意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。 工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 6...
ROHM采用自有的电路和器件技术“TDACC?” 开发出有助于安全工作和减少功率损耗的小型智能功率器件
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向引擎控制单元和变速箱控制单元等车载电子系统、PLC（Programable Logic Controller）等工业设备，开发出40V耐压单通道...
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材...
目前用于电子产品和自动化电子控制设备及功率半导体器件的保护方法有如下几种： 一、保险丝法 这是一种传统的保护方法。保险丝常串接在电路的电源输入端用以控制整个电路的总电流。其工作原理是靠电路出现故障...
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来...
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向；我们不能对其编程以通过或屏蔽一...
我国20世纪80年代以前的静止变频技术由于受到电力电子器件技术的影响，一直处于停滞不前的状态，各个行业感应加热用中频电源基本上使用中频变频电机供电。随着20世纪90年代...
能效已经成为决定电子元件、子系统和系统设计能否取得成功的主要因素之一。过去几年，计算和通信设备制造商一直在内部推动技术规格的发展和在外部向用户宣传这些技术规格，...
