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NTHC5513T1G

更新时间:2024-04-19 20:30:09
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NTHC5513T1G外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:chipfet™
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.9A,2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:180pF @ 10V
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装:ChipFET?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTHC5513T1GOSNTHC5513T1GOS-NDNTHC5513T1GOSTR
NTHC5513T1G 相关信息
  • NTHC5513T1G的技术参数
    产品型号:NTHC5513T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET价格/1片(套):¥2.40 来源:xiangxueqin
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