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NTLJS2103PTBG

更新时间:2025-05-16 19:46:06

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NTLJS2103PTBG外观图

NTLJS2103PTBG

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

封装:6-WDFN 裸露焊盘

NTLJS2103PTBG 概述

NTLJS2103PTBG是一款由安森美半导体生产的P沟道功率MOSFET。该器件采用TOLL（TO-LL）封装，具有极低的导通电阻，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压为-40V，在栅极驱动电压为-4.5V时，典型导通电阻仅为1.8mΩ，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此款MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、电机控制以及负载切换等需要高效率和紧凑设计的场合。在电池管理系统中，它能够有效降低功耗，延长设备运行时间。使用时应注意正确选择栅极驱动电路以确保最佳性能，并采取适当的散热措施来维持工作温度范围。由于其封装尺寸较小且电气性能优越，特别适合空间受限但又要求高性能的应用环境。

NTLJS2103PTBG 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫欧 @ 3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1157pF @ 6V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-WDFN（2x2）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTLJS2103PTBG-NDNTLJS2103PTBGOSTR

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