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  • NTLTD7900ZR2G的技术参数

    产品型号:ntltd7900zr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):26最大漏极电流id(on)(a):9通道极性:n沟道封装/温度(℃):micro-8/-55 ~150描述:20 v, 9a功率mosfet价格/1片(套):¥4.00 来源:xiangxueqin

  • NTLTD7900ZR2G的技术参数

    产品型号:NTLTD7900ZR2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
    最大漏极电流Id(on)(A):9
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):MICRO-8/-55 ~150
    描述:20 V, 9A功率MOSFET
    价格/1片(套):¥4.00

ntltd7900zr2g替代型号

NTLTD7900ZR2 NTLJS3113PT1G NTLJF4156NT1G NTLJF3117PT1G NTLJD4116NT1G NTLJD3115PT1G NTLJD3115P NTLJD2105LTBG NTK3142PT5G NTK3142PT1G

NTMD2C02R2G NTMD2C02R2SG NTMD3P03R2G NTMD4N03R2G NTMD6N02R2G NTMD6N03R2G NTMD6P02R2G NTMFS4108N NTMFS4108NT1G NTMFS4119NT1G

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