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  • NTMD2C02R2G的技术参数

    产品型号:ntmd2c02r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43最大漏极电流id(on)(a):5.200通道极性:n/p沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:2 a, 20 v,功率mosfet价格/1片(套):￥4.80 来源:xiangxueqin

  • NTMD2C02R2G的技术参数

    产品型号:NTMD2C02R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43
    最大漏极电流Id(on)(A):5.200
    通道极性:N/P沟道
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
    描述:2 A, 20 V,功率MOSFET
    价格/1片(套):￥4.80

ntmd2c02r2g替代型号

NTLTD7900ZR2G NTLTD7900ZR2 NTLJS3113PT1G NTLJF4156NT1G NTLJF3117PT1G NTLJD4116NT1G NTLJD3115PT1G NTLJD3115P NTLJD2105LTBG NTK3142PT5G

NTMD2C02R2SG NTMD3P03R2G NTMD4N03R2G NTMD6N02R2G NTMD6N03R2G NTMD6P02R2G NTMFS4108N NTMFS4108NT1G NTMFS4119NT1G NTMFS4120NT1G

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