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NTHD3100CT1G

更新时间:2025-06-18 14:56:04

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ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

封装:8-SMD，扁平引线

NTHD3100CT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.9A，3.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
165pF @ 10V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商设备封装
ChipFET?
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTHD3100CT1GOSTR

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