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  • NTHD4401PT1G的技术参数

    产品型号:nthd4401pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:p封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:20v,3a,p沟道双mosfet价格/1片(套):¥4.50 来源:xiangxueqin

  • NTHD4401PT1G的技术参数

    产品型号:NTHD4401PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155
    最大漏极电流Id(on)(A):3
    通道极性:P
    封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
    描述:20V,3A,P沟道双MOSFET
    价格/1片(套):¥4.50


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nthd4401pt1g替代型号

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