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NTHD4P02FT1G

更新时间:2025-06-15 14:58:41

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NTHD4P02FT1G外观图

NTHD4P02FT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET

封装:8-SMD，扁平引线

NTHD4P02FT1G 概述

NTHD4P02FT1G是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用表面贴装型封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于高效能电源管理应用中。其最大漏极-源极电压为-20V，适用于需要高效率和紧凑设计的场合。典型应用场景包括便携式设备、电池供电系统中的负载开关、充电电路以及DC-DC转换器等。由于其低栅极电荷和低输入电容，这款MOSFET特别适合高频操作，有助于减少功耗并提高系统整体效率。在实际使用时，需注意正确选择驱动电压以确保MOSFET处于最佳工作状态，并避免过热现象发生。此外，在进行PCB布局设计时，应尽量减小走线电感以优化性能表现。

NTHD4P02FT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
155 毫欧 @ 2.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
300pF @ 10V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商设备封装
ChipFET?
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTHD4P02FT1G-NDNTHD4P02FT1GOSTR

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