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  • NTHS4101PT1G的技术参数

    产品型号:nths4101pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):34最大漏极电流id(on)(a):6.700通道极性:p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-20 v, -6.7 a,功率mosfet价格/1片(套):¥2.80 来源:xiangxueqin

  • NTHS4101PT1G的技术参数

    产品型号:NTHS4101PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):34
    最大漏极电流Id(on)(A):6.700
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
    描述:-20 V, -6.7 A,功率MOSFET
    价格/1片(套):¥2.80

nths4101pt1g替代型号

NTHS2101PT1G NTHD4P02FT1G NTHD4N02FT1 NTHD4508NT1G NTHD4502NT1G NTHD4401PT1G NTHD4102PT1G NTHD4102P NTHD3101FT3G NTHD3101FT1G

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