NTHS5441T1G
1580
SOT238/08+PB
原装现货，假一赔十
NTHS5441T1G
50000
-/25+
原厂渠道商，可支持60天账期及180天承兑
NTHS5441
68500
SOT183/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货
NTHS5441
8300
-/22+
原装现货，配单小能手
NTHS5441
8700
-/23+
原装现货
NTHS5441
20000
N/A/19+
原装正品热卖，价格优势
NTHS5441
24652
SOT283/20+
全新原装进口现货特价热卖，长期供货
NTHS5441
10000
-/05+
公司现货只做原装
NTHS5441
23412
-/23+
提供一站式配单服务
NTHS5441
6607
-/2024+
现货假一罚万只做原厂原装现货
NTHS5441
12700
-/22+
诚信合作 一站配齐
NTHS5441
8160
-/22+
诚信、创新、和谐、共赢
NTHS5441
5000
A/N/22+
一站式配单，只做原装
NTHS5441
5000
SSOP8/2019+
原装 部分现货量大期货
NTHS5441
5000
-/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务
NTHS5441 / A3L
8000
SOT183/17+
原装 部分现货量大期货
NTHS5441DC-T1
10200
1206A8/20+
进品原装，现货库存可开17%增值票
NTHS5441DT1
9000
1206A03/23+
只做进口原装假一赔十
NTHS5441PT1G
8500
8SMD Flat Lead/2025+
原装现货
NTHS5441PT1G
19947
ChipFET/2021+
原装进口订货7-10天
NTHS5441
−20 V, −5.3 A, P−C...
ONSEMI
NTHS5441PDF下载
NTHS5441T1
−20 V, −5.3 A, P−C...
ONSEMI
NTHS5441T1PDF下载
NTHS5441T1
−20 V, −5.3 A, P−C...
ONSEMI [ON Semiconductor]
NTHS5441T1PDF下载
NTHS5441T1G
−20 V, −5.3 A, P−C...
ONSEMI
NTHS5441T1GPDF下载
NTHS5441T1G
−20 V, −5.3 A, P−C...
ONSEMI [ON Semiconductor]
NTHS5441T1GPDF下载
NTHS5441T1/D
Power MOSFET P-Channel ChipFET
ETC
NTHS5441T1/DPDF下载
NTHS5441T1-D
Power MOSFET -20 V, -5.3 A, Single P...
ON Semiconductor
NTHS5441T1-DPDF下载
它们的性能指标也取决于这些共用一大块不间断铜平面的触点。然而要记住的是，在布局的这部分中，迫不得已不使用散热部件会使印刷电路板的返修更加困难。这一点应该在设计评审时，跟生产部门经理摆明。 塑料封装 安森美半导体公司(on semiconductor)提供的p沟道mosfet在电气性能上与ir公司和飞兆半导体公司的器件相似，但却装在该公司的无引线chipfet封装中。这种器件的面积为122×80密耳，大致与1206型无源元件或tssop-6集成电路相当。例如，售价为0.25美元（批量1万件）的nths5441，是一种20v、3.9a的器件，其沟道电阻与ir公司和飞兆公司的器件相当：在vgs为-4.5v时为55mw（最大值），在vgs为-2.5v时为83mw。直接根据数据表来对安装后的csp器件的热阻进行对比是不可能的，因为器件制造厂商没有采用一种共同的测试板尺寸。但是，利用fdz204p pn结到球的热阻和5441 pn结到漏极垫片的热阻，你可以预计，在印刷电路板设计和工作条件相同的情况下，chipfet的温升大约要增大50%。 负载开关，如siliconix公司的si1037x和si7407dn
产品型号:NTHS5441T1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):5.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-20 V, -5.3 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.40
<...
电流参数：ID=-3.9A/IDM=±20A/IS=-3.9A电压参数：UDSS=-20V//UGS=±12V功 率： PD=1.3W其他参数：3.6V/0.05Ω、4.5V/0.046Ω、2.5v/0.07Ω，tn=30ns极 性：P备 注：内含二极管
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