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              NTMS4706NR2G
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NTMS4706NR2G

更新时间:2025-05-15 10:41:46
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NTMS4706NR2G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTMS4706NR2G外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 10.3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：950pF @ 24V
  • 功率 - 最大：830mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
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