1 定向的方法

1.1 根据晶体生长的各向异性定向

1.2 根据晶体解理的各向异性定向

1.3 根据晶体腐蚀的各向异性定向

1.4 光图定向

1.5 x光衍射定向

2 光图定向的方法与原理

2.1 显示晶面解理坑

2.2 晶面解理坑的结构与分布

2.3 光向与晶向

2.4 光图定向仪

2.5 光图定向

3. 光图定向器件生产中的应用

3.1 定向切割

3.2 定向划片及定位面的制造

课程重点：本节介绍了常规集成电路制造中硅单晶体定向。粗略的可根据晶体生长的各向异性定向、根据晶体解理的各向异性定向、根据晶体腐蚀的各向异性定向；较的可进行光图定向；更的可进行x光衍射定向。本节主要介绍了常规集成电路制造中常用的光图定向，根据光图定向的三个必备条件，进行了显示晶面解理坑的讨论；晶面解理坑的结构与分布的讨论；平行光照射晶面解理坑后，得到的反射光象与晶体晶向关系的讨论；讨论了常见的光图定向仪；并对光图定向的设备要求和光图定向步骤进行了讨论。，讨论了光图定向在常规集成电路制造中两种常见的应用，定向切割是在一定生长晶向的硅单晶棒上切出所需晶面的硅单晶片；而定位面的制造是为了适应器件生产中的定向划片，指出定向划片可以获得大量完整的管芯，定位面为定向划片提供了划片的参考平面。

课程难点：为什么可根据晶体生长的各向异性、晶体解理的各向异性、晶体腐蚀的各向异性进行定向，与晶体结构的关系如何。在光图定向中，显示晶面解理坑采用了电化学腐蚀，腐蚀前为什么要进行金刚砂研磨？在电化学腐蚀液中，晶格畸变区和晶格完整区各具有不同的性质，进行了什么不同的化学反应，其反应机理是什么。当在低指数晶面的晶片上制备晶面解理坑时，获得的是以平行该低指数晶面的面为底、以{111}面为侧面围成的平底锥坑，此类结构的形成机理及与晶体结构的关系。光图定向中光象与晶向之间的一一对应关系。考虑定位面划片时就能减少管芯的碎裂的理论依据。

基本概念：

1 光图定向-用平行光照射单晶体上的晶面解理坑，根据反射光象判定、调正晶向的方法。

2晶面解理坑-以低指数晶面围成的、与晶面（晶向）有一定对应关系的晶面腐蚀坑。其侧面为解理面。 3 晶格畸变区-指晶格有损伤的或不完整的区域，该区域存在较大的晶格内应力，内能大。

4晶格完整区-指晶格结构完整或完美的区域，该区域晶格内应力低，内能小。

5 反射光象-用平行光照射晶面解理坑 ，晶面解理坑某组平面对光的反射而得到的光图（光象 ）。

6定向切割-光图定向+垂直切割。

7 定向划片-按规定沿解理向进行划 片的方法。

基本要求：了解硅单晶体定向的目的、可采用的方法、定向原理。知道几种粗略定向方法的理论依据，较定向方法间的比较。清楚光图定向的方法和原理，能通过合适方法得到晶面解理坑、能通过一定手段得到反射光象、能由反射光象与晶体晶向的关系分析判定晶向、当晶向有偏离时能通过调整光图调正晶向。知道光图定向是如何在半导体器件制造中得到应用的，知道光图定向在定向切割中所起的作用、知道光图定向如何参与定位面的制作和定位面是如何在定向划片中起到作用的。