晶圆生产良率的制约因素-工艺制程步骤的数量
出处:catvmmds 发布于:2007-04-29 10:15:33
工艺步骤的增加同时提高了另外4个制约良率因素对制程中晶圆产生影响的可能性.这种情况是所谓的数量专治.例如,要想在一个50步的工艺流程上获得75%的累积良率,每单步的良率必须达到99.4%!专治在此类计算中更进一步表现为CUM良率决不会超过各单步的良率.如果一个工艺制程步骤只能达到50%的良率,整理的CUM良率不会超过50%.
每个主要工艺操作都包含了许多工艺步骤及分步,这使得晶圆生产部门面临着曰益升高的压力.在图示的11步工艺流程中,步是一个氧化工艺.一个简单的氧化工艺需要完成几个工艺步骤.他们是:清洗、氧化和评估。它们每一步度包含有分步骤。图6.3中列出了一个典型的氧化清洗工艺所包含的6个分步骤。每一个步骤都存在污染晶圆、打碎晶圆、或者犯其他错误的机会。
图6.3 氧化工艺的分步骤
对于商用半导体来说,75%的晶圆厂CUM良率是赚取利润的底线,自动化生产线则要达到90%或以上的良率。
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