高速的数据采集速度是保证数据采集的标准，但往往在数据处理时并不需要以同样的速度来进行，否则对硬件的需求太高，成本也较高。这就需要有一个数据缓存单元，将数据有效地存储，再根据系统需求进行数据处理。

   通常构成高速缓存的方案有三种。种是fifo(先进先出)方式。fifo存储器就像数据管道一样,数据从管道的一头流入，从另一头流出，先进入的数据先流出。fifo具有两套数据线而无地址线，可在其一端写操作而在另一端读操作，数据在其中顺序移动，因而能够达到很高的传输速度和效率，且由于省去了地址线而有利于pcb板布线。缺点是只能顺序读写数据，不易灵活控制，而且大容量的高速fifo非常昂贵。

    第二种是双口ram方式。双口ram具有两套独立的数据、地址和控制总线，因而可从两个端口同时读写而互不干扰，并可将采样数据从一个端口写入，而由控制器从另一个端口读出。双口ram也能达到很高的传输速度，并且具有随机存取的优点，缺点是大容量的高速双口ram的价格很昂贵。
   第三种是高速sram切换方式。高速sram只有一套数据、地址和控制总线，可通过三态缓冲门分别接到a/d转换器和控制器上。当a/d采样时，sram由三态门切换到a/d转换器一侧，以使采样数据写入其中。当a/d采样结束后，sram再由三态门切换到控制器一侧进行读写。这种方式的优点是sram可随机存取，同时较大容量的高速sram有现成的产品可供选择。

   从降低成本上考虑，采用第三种方式实现大容量数据存储功能。结合1gs/s数据采集系统的要求，存储深度为4mb。选择issi公司的静态ram，由8片is61lv25616构成4mb测试数据的存储。

  数据存储设计

● 数据流控制

   adc为双通道500ms/s的转换率，8bit的垂直分辨率，转换数据的输出是每通道i、q两个方向上差动输出，在差动时钟500mhz的驱动下，可以实现1gs/s的实时采样率，由adc输出的4路转换数据流输出分别为250ms/s。而is61lv256系列ram的速度级别为10ns或12ns，这样数据必须经过fpga进行缓存以后，才可以再次存入ram。

   is61lv25616系列ram芯片有16位数据线，18位地址宽度，同时还包括数据读rd、写wr及片选cs等控制信号。将8片ram并行连接到fpga上，组成数据采集的存储单元。

   将从adc输出ai[8...0]、aq[8...0]、bi[8...0]、bq[8...0]，每路信号都为lvds输出，共32位为一组转换数据data[31...0]，速率为250ms/s，要将这个速度在fpga内部降至ram可接受的范围。选用cycloneii系列fpga，其内部时钟可工作在402.5mhz，支持单端和高速差动标准i/o接口，对于250ms/s的数据流完全可以接收。利用fpga内部的d触发器作为缓冲，经过4级缓冲之后分别得到dbo[127...0]，这样数据速度降为62.5ms/s。经过缓冲后的数据已经在选用的ram接受速度级别内，将得到128位的数据作为8片ram的数据线，完成了数据流的控制。

● 地址发生器设计

  每次读写数据时，必须提供数据的存储位置，以读写信号作为时钟计数信号，顺序产生地址信号，其中nwe是ram的写数据信号，noe是读数据信号，二者都是低电平有效，选择ab[17...0]作为ram组的地址信号。cnten是地址计数器的使能信号，由读取/写入数据的深度决定，当未完成读取/写入的数据时，cnten＝0，此时允许读/写操作继续执行；当读/写操作完成时，相应的地址信号将cnten设置为1，则停止地址计数。

● 读写数据的设计

在设计好采集数据的地址发生单元后，接下来就是配合时序进行读写操作。

   对于单片ram的操作比较简单，但是要将数据顺序写入8片ram中，就要求对上一片ram写操作完成后，系统能够设置下一个待操作的ram有效，128位数据线分别对应8片ram的数据线，由于地址线和读写使能线公用，则需要分别设置每个ram的片选，以区别当前操作是针对哪一个ram。片选信号可以由译码器产生。读操作时设置相应ram的片选有效，即可读出存储的数据，而进行写操作时，则可以设置所有的ram片选有效，将采集到的数据同时并行的写入8片ram中。根据这些描述，片选信号的设计如图5所示。niomd为操作的状态信号，说明当前的操作是读状态或是写状态，读数据情况下设置为1，片选信号分别有效，写数据情况下设置为0，所有ram均处于片选有效状态下，可以同时写入数据。这样的设计也是为了配合系统的需求，一般的，读取数据的速度相对于写数据来说还是要快一些的。

仿真验证

    将上述设计方案整合后，配合其他控制信号的设计，就完成了数据采集系统数据存储功能的设计。在quartusii软件中对上述设计进行波形仿真，可以看到设置set值及相应的状态控制信号，则在vdb端就可以按照cs指示的相应的ram芯片中顺序读出预先存入的数据。按照图中所示的状态寄存器设置，读取深度设置寄存器设置为值set[4...1]＝000，即只读每片ram的存储数据，则地址发生器的值为8，从图中可以看到当地址发生器输出值增加到8时，we跳变为高电平，ram的读使能无效。由于ab[3]＝1，使得cnten=1,地址发生器的计数时钟使能无效，计数器停止计数，完成一轮数据的读取操作。

    当前数据线上的数据串db=0010，0011，1010，1110，1101，0011，1001，0111，片选信号cs低电平有效，当cs=11011111时，即选中按顺序由低位到高位计算的第6片ram，此时对应的在vdb上读出的数据应该为db的第6个数据值，即为1010。
结语