DRAM单元部分的布线如图所示，具有用于单元选择的字线，并且各个单元与数据线相连。数据线通过列选择开关或者通过预充电开关分别与公用数据线或者预充电电源相连接。预充电电源的电压大多采用器件电源电压一半左右的电压值。

　　 图 DRAM的基本结构

　　数据线上具有读出放大器，在这里对数据线上的状态“1”／“0”进行判定以及放大数据线上的电压电平。
 
　　图中虚线表示的电容器符号是数据线的寄生电容，正如后面将要叙述的那样，在读出DRAM上的数据时，这个寄生电容具有较大的作用。
 
　　下面我们来探讨DRAM单元的读操作的思路。DRAM单元的写人操作是通过确定数据线的状态，将FET设置为ON，然后通过电容器的充放电来完成的。读操作上稍有些麻烦，因为用于存储的电容器的容量非常之小，所以不可能一下子驱动公用数据线。

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