Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1

出处：tjsheep 发布于：2008-06-02 13:48:57

　　凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和凌力尔特公司众多DC/DC控制器之一相结合，可形成一个完整的高效率同步稳压器，以用作降压或升压型DC/DC转换器。

　　这个强大的驱动器可以吸收高达5A的电流并提供高达2.4A的电流，从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流MOSFET。LTC4443/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联MOSFET。当驱动3000pF负载时，快速12ns上升时间和8ns下降时间限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护，以防止高端和低端MOSFET同时导通，并限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管，可简化电路。

　　LTC4443/-1包括一个三态PWM输入以用于电源级停机，该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在6V至9.5V范围驱动高端和低端MOSFET的栅极，并在电源电压高达38V时工作。“-1”版本具有较高的6.2V VCC欠压闭锁，而不是3.2V，以用来驱动标准5V逻辑N沟道MOSFET。

　　LTC4443EDD和LTC4443EDD-1都采用3mm x 3mm DFN-12封装，以1,000片为单位批量购买，每片价格为1.35美元。LTC4443IDD和LTC4443IDD-1经过测试，保证在-40℃至85℃的工作温度范围内工作，千片批购价为1.50美元。

　　性能概要：LTC4443/-1

　　同步N沟道MOSFET驱动器

　　大驱动电流: 提供2.4A，吸收5A

　　自适应贯通保护

　　驱动3000pF负载时高端栅极下降时间为8ns

　　驱动3000pF负载时高端栅极上升时间为12ns

　　三态PWM输入用于电源级停机

　　集成自举肖特基二极管

　　电源电压为38V

　　栅极驱动电压为6V至9.5V

　　LTC4443的UVLO为3.2V