金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物，或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3，在基材substrate表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。

　　MOCVD主要功能在于沉积高介电常数薄膜，可随着precursor的更换，而沉积出不同种类的薄膜。对于LED来说，LED芯片由不同半导体材料的多层次架构构成，这些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积系统的圆形芯片上。这个过程叫做晶体取向附生，对于决定LED的性能特徵并因此影响白光LED的装仓至关重要。

　　MOCVD应用的范围有：

　　1、 钙鈦矿氧化物如PZT、SBT、CeMnO2等；

　　2、 铁电薄膜；

　　3、 ZnO透明导电薄膜、用于蓝光LED的n-ZnO和p-ZnO、用于TFT的ZnO、ZnO纳米线；

　　4、 表面声波器件SAW(如LiNbO3等、；

　　5、 三五族化合物如GaN、GaAs基发光二极体（LED）、雷射器（LD）和探测器；

　　6、 MEMS薄膜；

　　7、 太阳能电池薄膜；

　　8、 锑化物薄膜；

　　9、 YBCO 高温超导带；

　　10、 用于探测器的SiC、Si3N4等宽频隙光电器件

　　MOCVD对镀膜成分、晶相等品质容易控制，可在形状复杂的基材、衬底、上形成均匀镀膜，结构密緻，附着力良好之优点，因此MOCVD已经成为工业界主要的镀膜技术。MOCVD制程依用途不同，制程设备也有相异的构造和型态。MOCVD近来也有触媒制备及改质和其他方面的应用，如制造超细晶体和控制触媒得有效深度等。在可预见的未来里，MOCVD工艺的应用与前景是十分光明的。