在写操作过程中，写入的地址必须以字（4 个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。该地址可以用数据在存储器中的直接地址来表示，也可以用存储器区块的基址加数据的偏移地址来表示。

　　对 Flash 存储器的编程步骤如下：

　　（1）把源数据写入FMD 寄存器中。

　　（2）把目标地址写入到FMA 寄存器中。

　　（3）把flash 写入匙码（flash write key）写入到FMC 寄存器,并将WRITE 位置位。（写入0xA4420001）。

　　（4）查询FMC 寄存器直至WRITE 位被清零。

　　如图 5 所示：

图 5 Flash 存储器的编程步骤示意图

　　实例程序如程序清单 3 所示：

程序清单 3