日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。
　　本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/201901/397193.htmVishay提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术，涵盖需要高压输入到低压输出的各种电子系统。随着SiHH068N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品，我们可在设计电源系统架构的初期满足提高能效和功率密度的要求-包括功率因数校正和硬切换DC/DC转换器拓扑结构。
　　SiHH068N60E采用Vishay的高能效E系列超级结技术，10 V条件下典型导通电阻仅为0.059 Ω，超低栅极电荷下降到53 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，比同类接近的MOSFET低12 %。SiHH068N60E有效输出电容Co(er)和Co(tr) 分别仅为94 pf和591 pF，可改善开关性能。这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗，从而达到节能效果。
　　日前发布的器件采用PowerPAK? 8x8封装，符合RoHS标准，无卤素，可承受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。
　　Littelfuse, Inc.宣布今日推出双向瞬态抑制二极管阵列(SPA?二极管)系列的首款产品，该系列产品旨在保护高端消费电子产品和可穿戴电子产品免因破坏性静电放电损坏。 SP1333系列中的首款瞬态抑制二极管SP1333-01UTG具有3.3V击穿电压， 采用专有硅雪崩技术，将背对背二极管组合在一起。 这种背对背配置可提供高达±30kV的ESD对称数据线保护，安全吸收反复性ESD震击，同时避免性能减退。 低钳位电压使SP1333系列能够耐受>5A的浪涌电流，为保护的电子设备延长使用寿命。
　　　SP1333系列瞬态抑制二极管阵列

　　SP1333系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括：
　　· 手机/智能手机
　　· 便携式医疗设备
　　· MP3/PMP设备
　　· 便携式导航设备
　　· 小尺寸
　　· 平板电脑
　　· 销售点终端
　　“SP1333系列对我们采用紧凑型0201封装的瞬态抑制二极管阵列产品组合形成了补充，该产品组合现已覆盖从3.3V至36V的整个击穿电压范围。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示。 “这一产品线的增加提高了我们对市场的服务水平，使Littelfuse成为电子市场的保护来源。”
　　SP1333系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：
　　· 低电容(每个输入/输出端口仅为10pF)有助于保持信号完整性，并限度地减少数据丢失。
　　· 极低(<50nA)寄生漏电得到优化，以延长使用寿命。
　　· 通过结合高(>5A)浪涌容差和±30kV ESD保护，针对电气威胁提供更加可靠的保护。